收藏本站
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 22N50P
IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P
IXTV 22N50PS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 22 A
≤ 270 m Ω
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
G
D
S
(TAB)
V GS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
22
66
V
V
A
A
TO-3P (IXTQ)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
22
30
750
A
mJ
mJ
G
D
S
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
10
V/ns
PLUS220 (IXTV)
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
P D
T C = 25 ° C
350
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220SMD (IXTV...S)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-3P
PLUS220 & PLUS220SMD
5.5
4
g
g
G
S
D (TAB)
G = Gate
D = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
S = Source
TAB = Drain
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
500
V
Features
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
3.0
5.5
± 10
V
nA
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
5 μ A
50 μ A
270 m Ω
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99351E(03/06)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTV22N60PS MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
IXTV230N085TS MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
IXTV250N075T MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
IXTV280N055TS MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
IXTV36N50PS MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
IXTV96N25T MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
IXTX110N20L2 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
IXTX17N120L MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
相关代理商/技术参数
IXTV22N60P 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV22N60PS 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV230N085T 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV230N085TS 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV250N075TS 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube